гт322б Ni 76г транзистор

Транзисторы ГТ322Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения в усилителях промежуточной и высокой частот. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Корпус транзистора электрически соединен с дополнительным (четвертым) выводом и может быть использован в качестве экрана. Выводы эмиттера, базы и коллектора электрически изолированы от корпуса транзистора. • Структура: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 50 мВт; • Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 80 МГц; Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 25 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,25 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА.