0

2т504б Ni /NPN 1А 200в/ транзистор

Оценка товара 0.0, голосов: 0
Наличие: шт
Нет в наличии
Уже в корзине
технические характеристики транзистора 2Т504Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 200 В (0,1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 6 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 15... 100.

Комментариев пока нет, будьте первым.

Оставить комментарий