2т638а /NPN 0,1А 120в 0,5Вт/ транзистор

Технические характеристики транзистора 2Т638А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 500 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 120 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 350 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА (110В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 200; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 пФ