2т830в /PNP 2А 80в/ транзистор

Технические характеристики транзистора 2Т830В: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 4 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА (80В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом