1т329а /NPN 20мА 10в 50мВт/ транзистор

Технические характеристики транзистора 1Т329А: • Структура: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 50 мВт; • Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1200 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 10 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,7 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА при 10 В; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 15...300 при 5В, 5мА; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ при 5В; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4 дБ на частоте 400 МГц;